TSMC تولید انبوه فناوری ۲ نانومتری را از سال ۲۰۲۵ آغاز می‌کند

براساس گزارش جدیدی از تایوان، شرکت TSMC تولید انبوه لیتوگرافی ۲ نانومتری خود را در سال ۲۰۲۵ آغاز خواهد کرد. همچنین گفته شده که این شرکت درحال برنامه‌ریزی برای یک نود ۲ نانومتری جدید به نام N2P است که یک سال بعد از N2 وارد فاز تولید خواهد شد. درحالی‌که TSMC هنوز فرایند جدیدی با نام N2P را تأیید نکرده، اما از نامگذاری مشابهی برای فناوری نیمه‌هادی ۳ نانومتری فعلی خود استفاده کرده است؛ به‌طوری‌که N3P نسخه پیشرفته N3 محسوب می‌شود.

گزارش امروز توسط منابع زنجیره تأمین تایوانی به اشتراک گذاشته شده است که ادعا می‌کنند تولید انبوه نیمه‌رساناهای ۲ نانومتری TSMC طبق برنامه قبلی انجام خواهد شد. این گزارش درحالی منتشر شده است که مدیران این شرکت تاکنون چندین‌بار به جدول زمانی فرایند تولید نسل بعدی اشاره کرده‌اند. ازجمله آن‌ها می‌توان به گزارشی از سال گذشته اشاره کرد که TSMC در یک رویداد حضوری این موضوع را اعلام کرده بود.

در گزارش جدید همچنین گفته شده است که تولید انبوه این فناوری در کارخانه مستقر در شهرستان هسینچو TSMC انجام خواهد شد.

مدل پیشرفته‌تر فناوری ۲ نانومتری

نکته جالب دیگر این گزارش، اشاره به فرایند N2P است. درحالی‌که TSMC نسخه‌ای با عملکرد بالا از فناوری N3 را که N3P نامیده می‌شود، تأیید کرده، هنوز به ساخت نسخه مشابهی برای فرایند ۲ نانومتری اشاره نکرده است. بااین‌حال، منابع تایوانی در گزارش جدید ادعا کرده‌اند که TSMC برای N2P از فناوری BSPD به‌منظور بهبود عملکرد استفاده خواهد کرد.

این فناوری به ترانزیستورها اجازه می‌دهد تا توان الکتریکی را از یک طرف تراشه جذب کنند، درحالی‌که طرف دیگر برای اتصال ترانزیستورها با لینک‌های اتصال داده استفاده می‌شود. این همان فناوری است که اینتل برای گرفتن دوباره رهبری این حوزه از TSMC و سامسونگ، تلاش دارد تا از آن استفاده کند؛ هرچند آن را PowerVia می‌نامد.